（原标题：晶书册成苦求浅沟槽拒绝结构专利神秘顾客视频，改善产生闲隙的情况）

金融界2023年12月16日音书，据国度常识产权局公告，合肥晶书册成电路股份有限公司苦求一项名为“一种浅沟槽拒绝结构过头酿成要津“，公开号CN117238839A，苦求日历为2023年11月。

专利摘要知道，本发明提供一种浅沟槽拒绝结构过头酿成要津，属于半导体的制作工艺规模，孙悟空浅沟槽拒绝结构的酿成要津包括：提供衬底，衬底中酿成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁掩饰有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁名义引入含羟基的基团；接管高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，重庆专业第三方神秘顾客公司含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速度较在侧壁处的填充速度快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁名义引入含羟基的基团，出东谈主预感的后果是，加速底壁处氧化物层的填充速度，使得氧化物层在底壁处的填充速度较在侧壁处的填充速度快，以幸免浅沟槽提前封口，从而改善产生闲隙的情况。

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本文源自：金融界

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